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ADS DC仿真中电流如何解释？
Q：请问下各位，在ADS中做这个电路的DC仿真，仿真结果中电流该如何解释？
A：图一这个两边都是短路所以电流随便取的。
Q：好像有点道理，有什么设置可以解决类似问题吗？
A：两个支路各加一个0.0001Ω电阻。
Q：好 我试下。
功率增益曲线上翘现象的原因是什么？
Q：咨询一下：红色曲线是功率增益曲线，为啥会出现一小段的上翘了。
A：增益扩张，管子比较靠AB类，P1dB可以做得比较好。
BJT类器件特有的Gain Expansion现象。
Q：插一个问题：增益大了，会不会在这个地方出现不稳定的问题呢？
A：看单级是稳定的。
Q：“BJT类器件特有的Gain Expansion现象。” 好的，我查下资料看看，请问这个有相关资料吗？
A：这个现象和偏置电路相关，可以找一下HBT自适应偏置相关文献看一下 。
A：快到饱和的时候非线性会增强，电流波形会失真，失真的电流波形会产生额外的直流分量，直流分量叠加到了原先的静态电流上导致PA的增益产生了变化，解决办法可以将静态电流加大。
Q：增大静态电流就不会上翘了，谢谢分析。
A：增大静态电流是怎么增大加偏置吗？
Q：是的，增加了一点偏置。
无源混频器单边带噪声系数为什么会低于变频损耗？
Q：大家对无源混频器的单边带噪声系数咋样看的？有可能无源混频器的单边带噪声远小于他的变频损耗么？
A：无源的话他噪声系数不就是他的损耗吗？
Q：是啊 但是仿出来的单边带噪声比损耗还低，和端口的隔离有关吗？每个端口都加了滤波器仿 出来低个7 8这样，端口隔离不错的，就想着是不是和这个有关。
A：是不是和仿真设置有关？我之前也遇到过这样的问题，一直没找到解决办法。
Q：感觉不是 同一个电路结构 调参数的时候能调到噪声和损耗相当的理论值 也能调到这种和理论差很多的值。
A：你仿噪声是用的HB里面的那个噪声选项？
Q：对。
A：好的。蹲一手大佬解答。
A：因为无源混频器的损耗不全是欧姆损耗，还有变频卷积损耗。射频微电子里这一段，把mos管理想等效为开关，所以输入信号会与1 0的方波卷积，傅里叶展开后，基波部分呈现的增益是2/π，虽然信号变小了，但是并没有引入噪声。实际无源混频器有寄生电阻，这部分既会引入损耗，又会引入噪声。所以噪声系数好于损耗，是有可能的。有时候，在一些镜频噪声较大，阻抗失配，多次变频等因素的影响下，噪声系数也可能反过来大于损耗。
单边带噪声系数一般也不会超损耗3dB以上。
Q：谢谢大佬解答，那多是多3dB 噪声比损耗小又大家最多又做到能小多少呢 小个1 2dB正常 但是小了7 8dB是仿真的问题 还是其实也是有可能做到的呢？像我上面说的 隔离度很好的情况下 虽然由于滤波器的加入插损更大了 但是隔离度好了 对于别的比如镜频噪声本振泄露这种噪声的抑制效果好了 是不是其实也有可能能做到噪声比损耗低很多呢？
A：这个3dB一般指射频功率增益的情况，电压增益还有些特殊，这个时候无源混频器损耗可能在1dB以内。然后你说的nfssb比损耗要低7 8dB这种情况我还没遇到过，如果干掉了镜频噪声，RF频率比较低 ，用SOI工艺，感觉有可能做到吧。你现在损耗和nfssb仿出来多少？
Q：就是差不多差个7 8这样 感觉太离谱了。
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ADS版图仿真电压不正确的原因及解决方法
Q：请问一下，大家有没有遇到过ADS版图仿真电压不对的情况，尤其是在RFPro中进行仿真。
A：是不是有些电压金属层接地了，检查一下，仿真pa前仿真遇到过bias不对，电压电流都有问题的情况。
Q：就是采用RFPRO仿真有问题，用EM仿真没有问题，很奇怪。不清楚是不是软件BUG。
A：电压差异多大？
Q：给5v电压，一个正常5v，一个电压零点几伏。但是电路都是正常连接的，检查也没有开路情况。
A：这个肯定接地了，看看这两个点的S参数， 如果不通，一段一段去检查。
Q：多谢多谢！
3G内环功控失败的原因及解决方案
Q：3G的内环功控fail了一个点，这是为啥啊，MTK6186平台。
A：3gpp有豁免的吧，是在apt增益切换的地方fail吗？
Q：不是在切换点，在2dBm左右fail，切换点定义的14dBm。
A：上升还是下降fail？如果上下都fail,改改电压试试，或者校准一下rx，确保探测准一些。
内环功控是衡量手机功控精准度的一项指标，一般仪表会模拟实际通信情况下，要求手机1dB为步进下降和1dB步进上升，挂的话两种可能，一种rx未校准，导致测到仪器的灵敏度不是实际值导致调用功率档位不对，另一一种可能手机Tx的功率不平坦，或者温度异常调用加入温补导致功率异常，这个上面老哥有解决方案，还有可能调用功率档位电压不对，不太合理，其余的还有可能couple异常，基本上就这些角度考虑吧。
Q：Rx没校准，我校准试一下。
A：中间信道还是首末信道？综测时候尽量把ilpc放在第一项，如果是放在其他项后面测试，板子温度上来了容易挂。如果是首末信道fail，调下双工的收敛和pa load大概率就能好。
Q：三个信道都挂了。
A：其他的MB或者LB会挂吗？
Q：一共Band1、2、5、8，都有问题，但是出问题的功率点稍微有差异，用了和其他项目一样的温度补偿。
A：“用了和其他项目一样的温度补偿” 这个不影响，单独测这一项加吹风扇常温测一下如果挂了，就可以排出温补了。
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串联开关管d和s接反会影响性能吗？
Q：请问串联开关管的d和s反过来接有问题嘛？就是d和s的顺序会影响性能嘛？
A：实际使用中可能没有，但仿真没试过。
Q：仿真没有影响 就是实际不知道。
A：实际器件是对称的。
Q：好的 谢谢。
HBT管子工作类别的影响因素有哪些？
Q：请教一下，HBT管子在仿真时工作在A B或者AB类，只与BIA电流有关吗？
A：理论上是这样吧，在确定了loadline后，a/b/ab类只是导通角的区分而已，导通角也就跟Q点有关，Q点决定了导通周期。
A：和输入信号大小也有关系，小信号可以认为导通角是2π。同样的静态工作点，随着输入信号增大，会出现饱和失真或者截止失真，这个时候导通角会小于2π。
A：这样理解没问题，但导通角这个概念有些过于理想了，只有在id vg完全线性的时候才能成立。
A：实际上，与输出功率有关，目前书上的都是按照饱和功率的地方来算的。
Q：
多谢大侠！
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